Número do Produto do Fabricante:
2N5551
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
2N5551-DG
Descrição:
BJT TO92 160V NPN 0.625W 150C
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
Inventário:
12883493
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
2N5551 Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
200 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
160 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
-
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Potência - Máx.
625 mW
Frequência - Transição
300MHz
Temperatura de operação
-
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-92
Número do produto base
2N5551
Informação Adicional
Outros nomes
2N5551DICT
2N5551DITB
2N5551CT-DG
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
2SA1774-S-AP
TRANS PNP 50V 0.15A SOT523
BCX5516TA
TRANS NPN 60V 1A SOT89-3
DXTP07040CFGQ-7
TRANS PNP 40V 3A POWERDI3
