BS107P

Número do Produto do Fabricante:

BS107P

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

BS107P-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3

Descrição Detalhada:

N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole TO-92

Inventário:

1875 Pcs Novo Original Em Estoque

12902970

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BS107P Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalagem

Bulk

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

200 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

120mA (Ta)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

2.6V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30Ohm @ 100mA, 5V

vgs(th) (máx) @ id

-

Vgs (máx.)

±20V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

500mW (Ta)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-92

Pacote / Estojo

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Número do produto base

BS107

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

BS107P-NDR

BS107

Pacote padrão

4,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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