Número do Produto do Fabricante:
BSS214NH6327XTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSS214NH6327XTSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventário:
367727 Pcs Novo Original Em Estoque
12842547
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
QOk0
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
BSS214NH6327XTSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 3.7µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
143 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT23
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
BSS214
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
BSS214N H6327
SP000928936
BSS214N H6327CT
BSS214N H6327CT-DG
BSS214N H6327-DG
BSS214N H6327TR-DG
BSS214NH6327XTSA1TR
BSS214N H6327DKR-DG
BSS214NH6327
BSS214NH6327XTSA1CT
BSS214NH6327XTSA1DKR
BSS214N H6327DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
NVMFS5C442NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
NVMFS5H663NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
NDB7051
MOSFET N-CH 50V 70A D2PAK
