Número do Produto do Fabricante:
IGLD60R190D1AUMA3
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IGLD60R190D1AUMA3-DG
Descrição:
GAN HV
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1
Inventário:
2344 Pcs Novo Original Em Estoque
12965865
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IGLD60R190D1AUMA3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolGaN™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
1.6V @ 960µA
Vgs (máx.)
-10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
157 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-LSON-8-1
Pacote / Estojo
8-LDFN Exposed Pad
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
448-IGLD60R190D1AUMA3DKR
448-IGLD60R190D1AUMA3TR
448-IGLD60R190D1AUMA3CT
SP005557217
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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