Número do Produto do Fabricante:
IPB65R125CFD7ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB65R125CFD7ATMA1-DG
Descrição:
HIGH POWER_NEW
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventário:
12988721
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IPB65R125CFD7ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ CFD7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 420µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1694 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
98W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IPB65R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
448-IPB65R125CFD7ATMA1DKR
SP005413371
448-IPB65R125CFD7ATMA1TR
448-IPB65R125CFD7ATMA1CT
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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