Número do Produto do Fabricante:
IPB80N04S2H4-ATMA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB80N04S2H4-ATMA2-DG
Descrição:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventário:
12967927
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IPB80N04S2H4-ATMA2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
148 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4400 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
INFINFIPB80N04S2H4-ATMA2
2156-IPB80N04S2H4-ATMA2
Pacote padrão
144
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
Not applicable
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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