Número do Produto do Fabricante:
IPD60R650CEBTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD60R650CEBTMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
12801316
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IPD60R650CEBTMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™ CE
Status do produto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
440 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
82W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD60R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001369530
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FCD7N60TM
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5978
NÚMERO DA PEÇA
FCD7N60TM-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.91
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
STD10N60DM2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
STD10N60DM2-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.59
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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