Número do Produto do Fabricante:
IPI80P03P4L04AKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPI80P03P4L04AKSA1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventário:
12802592
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IPI80P03P4L04AKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 253µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+5V, -16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11300 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
137W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
IPI80P
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPI80P03P4L-04-DG
IPI80P03P4L-04
SP000396318
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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