Número do Produto do Fabricante:
SPP08N80C3XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPP08N80C3XKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventário:
1997 Pcs Novo Original Em Estoque
12807363
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SPP08N80C3XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 470µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
SPP08N80
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP000683156
SPP08N80C3IN
SPP08N80C3IN-NDR
SPP08N80C3XKSA1-DG
SPP08N80C3XTIN-DG
SPP08N80C3X
448-SPP08N80C3XKSA1
SPP08N80C3
SPP08N80C3IN-DG
SPP08N80C3XTIN
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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