Número do Produto do Fabricante:
PSMN102-200Y,115
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PSMN102-200Y,115-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventário:
76310 Pcs Novo Original Em Estoque
12830193
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Mínimo 1
4qKj
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PSMN102-200Y,115 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
21.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
30.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1568 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
113W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
LFPAK56, Power-SO8
Pacote / Estojo
SC-100, SOT-669
Número do produto base
PSMN102
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
1727-5227-6
568-6544-2-DG
568-6544-1-DG
1727-5227-2
PSMN102-200Y T/R-DG
1727-5227-1
5202-PSMN102-200Y,115TR
PSMN102200Y115
568-6544-6-DG
PSMN102-200Y,115-DG
568-6544-6
PSMN102-200Y T/R
568-6544-2
568-6544-1
934061323115
Pacote padrão
1,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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