Número do Produto do Fabricante:
FDD8880
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDD8880-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 13A (Ta), 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
13967 Pcs Novo Original Em Estoque
12846733
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FDD8880 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13A (Ta), 58A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1260 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
55W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
FDD888
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FDD8880TR
FDD8880CT
2156-FDD8880-OS
FDD8880DKR
FAIFSCFDD8880
FDD8880-DG
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
HUF75617D3ST
MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
FDC855N
MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
AOTF240L
MOSFET N-CH 40V 20A/85A TO220-3F
