QS8M12TCR
Número do Produto do Fabricante:

QS8M12TCR

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

QS8M12TCR-DG

Descrição:

MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 4A 1.5W Surface Mount TSMT8

Inventário:

13526085
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QS8M12TCR Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Not For New Designs
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
3.4nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250pF @ 10V
Potência - Máx.
1.5W
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos do fornecedor
TSMT8
Número do produto base
QS8M12

Informação Adicional

Outros nomes
QS8M12TCRDKR
QS8M12TCRTR
QS8M12TCRCT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
ECH8660-TL-H
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2300
NÚMERO DA PEÇA
ECH8660-TL-H-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.20
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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