Número do Produto do Fabricante:
R8010ANX
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R8010ANX-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventário:
13524383
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R8010ANX Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
560mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1750 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
40W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220FM
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
R8010
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Documentos de confiabilidade
Informação Adicional
Outros nomes
R8010ANXCT
R8010ANXCT-ND
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SPA11N80C3XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2180
NÚMERO DA PEÇA
SPA11N80C3XKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.26
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
50
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PREÇO UNITÁRIO
0.72
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0.87
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
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PREÇO UNITÁRIO
1.74
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