Número do Produto do Fabricante:
SCT3080ALHRC11
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT3080ALHRC11-DG
Descrição:
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 134W Through Hole TO-247N
Inventário:
458 Pcs Novo Original Em Estoque
13527233
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SCT3080ALHRC11 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
104mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
5.6V @ 5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
571 pF @ 500 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
134W
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247N
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SCT3080
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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