Número do Produto do Fabricante:
RN1910FE(T5L,F,T)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
RN1910FE(T5L,F,T)-DG
Descrição:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventário:
12889612
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Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
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RN1910FE(T5L,F,T) Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Conjuntos de Transistores Bipolares, Pré-Biasados
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
-
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Frequência - Transição
250MHz
Potência - Máx.
100mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos do fornecedor
ES6
Número do produto base
RN1910
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
RN1910FE(T5LFT)CT
RN1910FE(T5LFT)TR
RN1910FE(T5LFT)DKR
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
NSBC143TDXV6T1G
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
NSBC143TDXV6T1G-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.05
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
PUMH7,115
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
12777
NÚMERO DA PEÇA
PUMH7,115-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.03
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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