Número do Produto do Fabricante:
SSM3J356R,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM3J356R,LF-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Inventário:
189285 Pcs Novo Original Em Estoque
12889274
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Quantidade
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Mínimo 1
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ENVIAR
SSM3J356R,LF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+10V, -20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
330 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23F
Pacote / Estojo
SOT-23-3 Flat Leads
Número do produto base
SSM3J356
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SSM3J356RLFTR
SSM3J356R,LF(B
SSM3J356RLFDKR
SSM3J356RLFCT
SSM3J356R,LF(T
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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